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2N3771G

High Power NPN Silicon Power Transistors

These devices are designed for linear amplifiers, series pass regulators, and inductive switching applications. Features • Forward Biased Second Breakdown Current Capability IS/b = 3.75 Adc @ VCE = 40 Vdc − 2N3771 = 2.5 Adc @ VCE = 60 Vdc − 2N3772 • Pb−Free Packages are Available

文件:80.85 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

2N3771G

Trans GP BJT NPN 40V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-204 Tray

NJS

NJS

2N3771G

Package:TO-204AA,TO-3;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 40V 30A TO204

ONSEMI

安森美半导体

JAN2N3771

NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR

文件:67.51 Kbytes 页数:2 Pages

MICROSEMI

美高森美

JANTX2N3771

NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR

文件:67.51 Kbytes 页数:2 Pages

MICROSEMI

美高森美

JANTXV2N3771

NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR

文件:67.51 Kbytes 页数:2 Pages

MICROSEMI

美高森美

产品属性

  • 产品编号:

    2N3771G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    4V @ 6A,30A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    10mA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    15 @ 15A,4V

  • 频率 - 跃迁:

    200kHz

  • 工作温度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-204AA,TO-3

  • 供应商器件封装:

    TO-204(TO-3)

  • 描述:

    TRANS NPN 40V 30A TO204

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
onsemi(安森美)
24+
TO-204
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TO-204(TO-3)
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NA
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进口原装正品优势供应
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铁帽原装主营-可开原型号增税票
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更多2N3771G供应商 更新时间2026-1-20 23:00:00