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2N3773	文件：76.22 Kbytes Page：2 Pages	HIGH POWER TRANSISTOR The 2N3773 is silicon planar NPN transistor in Jedec TO-3 metal case. They are intended for linear amplifiers and inductive switching applications. Compliance to RoHS. 文件：76.22 Kbytes 页数：2 Pages	COMSET	COMSET
2N3773	文件：234.37 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Designed for high power audio, disk head positioners, and other linear applications. 文件：234.37 Kbytes 页数：1 Pages	DCCOM 道全	DCCOM
2N3773	文件：105.65 Kbytes Page：3 Pages	HIGH VOLTAGE, HIGH CURRENT POWER TRANSISTORS TO-3 Power Package Transistors (NPN) 文件：105.65 Kbytes 页数：3 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2N3773	文件：40.46 Kbytes Page：1 Pages	TO-3 Power Package Transistors (NPN) TO-3 Power Package Transistors (NPN) 文件：40.46 Kbytes 页数：1 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2N3773	文件：84.86 Kbytes Page：1 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSITORS COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSITORS 16 AMPS 文件：84.86 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N3773..	文件：405.7 Kbytes Page：4 Pages	Transistor NPN, TO-3 Description: Complementary silicon power transistors. The power transistors designed for high power audio, disk head positions and other linear applications. These devices can also be used in power switching circuits such as relay or solenoid drivers. DC-DC converters or inverters. Features: 文件：405.7 Kbytes 页数：4 Pages	MULTICOMP 易络盟	MULTICOMP
2N3777	文件：92.08 Kbytes Page：1 Pages	SI PNP POWER BJT Description: Si PNP Power BJT 文件：92.08 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N3789	文件：182.44 Kbytes Page：2 Pages	SILICON PNP POWER TRANSISTORS SILICON PNP POWER TRANSISTORS 文件：182.44 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N3789	文件：116.48 Kbytes Page：3 Pages	POWER TRANSISTORS(10A,150W) SILICON PNP POWER TRANSISTORS 10 AMPERE POWER TRANSISTORS PNP SILICON 60-80 VOLTS 150 WATTS 文件：116.48 Kbytes 页数：3 Pages	MOSPEC 统懋	MOSPEC
2N3789	文件：261.22 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION • Excellent Safe Operating Area • Low Collector-Emitter Saturation Voltage • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation. APPLICATIONS • Designed for medium-speed switching and amplifier applications. 文件：261.22 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

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晶体管资料

型号：
2N3700
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（Uni）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
140V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
200MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BSS43,BSS59,BSW68,2SC3228,2SC2383,2N2990,3DK204C,
最大耗散功率：
0.5W
放大倍数：
β>100
图片代号：
D-8
vtest：
140
htest：
200000000
atest：
1
wtest：
0.5

产品属性

产品编号：
2N3700
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
剪切带（CT）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
10nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 150mA，10V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-206AA，TO-18-3 金属罐
供应商器件封装：
TO-18
描述：
TRANS NPN 80V 1A TO18

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