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2N3772	文件：204.37 Kbytes Page：6 Pages	POWER TRANSISTORS (NPN SILICON) These devices are designed for linear amplifiers, series pass regulators, and inductive switching applications. Features • Forward Biased Second Breakdown Current Capability IS/b = 3.75 Adc @ VCE = 40 Vdc − 2N3771 = 2.5 Adc @ VCE = 60 Vdc − 2N3772 • Pb−Free Packages are Available 文件：204.37 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N3772	文件：80.85 Kbytes Page：5 Pages	High Power NPN Silicon Power Transistors These devices are designed for linear amplifiers, series pass regulators, and inductive switching applications. Features • Forward Biased Second Breakdown Current Capability IS/b = 3.75 Adc @ VCE = 40 Vdc − 2N3771 = 2.5 Adc @ VCE = 60 Vdc − 2N3772 • Pb−Free Packages are Available 文件：80.85 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N3772	文件：138.85 Kbytes Page：3 Pages	HIGH POWER NPN SILICON POWER TRANSISTORS 20 AND 30 AMPERE NPN SILICON POWER TRANSISTORS 40 and 60 VOLTS 150 WATTS 文件：138.85 Kbytes 页数：3 Pages	BOCA 博卡	BOCA
2N3772	文件：55.62 Kbytes Page：2 Pages	SILICON NPN TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 2N3772 is a silicon power transistor in TO-3 metal case. It is designed for linear amplifiers, series pass regulators, and inductive switching applications. 文件：55.62 Kbytes 页数：2 Pages	UTC 友顺	UTC
2N3772	文件：144.06 Kbytes Page：4 Pages	NPN SILICON PLANAR POWER TRANSISTOR Designed for Linear Amplifiers, Series Pass Regulators, and Inductive Switching Applications. 文件：144.06 Kbytes 页数：4 Pages	CDIL	CDIL
2N3772	文件：82.5 Kbytes Page：1 Pages	NPN POWER TRANSISTOR DESCRIPTION The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N3771, 2N3772 types are silicon NPN silicon power transistors manufactured by the epitaxial base process designed for high power amplifier and switchign applications. 文件：82.5 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N3772	文件：132.38 Kbytes Page：3 Pages	POWER TRANSISTORS(150W) 20 AND 30 AMPERE NPN SILICON POWER TRANSISTORS 40 and 60 VOLTS 150 WATTS 文件：132.38 Kbytes 页数：3 Pages	MOSPEC 统懋	MOSPEC
2N3772	文件：233.99 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Designed for linear amplifiers, series pass regulators, and inductive switching applications. 文件：233.99 Kbytes 页数：1 Pages	DCCOM 道全	DCCOM
2N3772	文件：347.98 Kbytes Page：8 Pages	Power Transistors Power Transistors 文件：347.98 Kbytes 页数：8 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2N3772	文件：48.01 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Excellent Safe Operating Area • High DC Current Gain-hFE=15(Min)@IC = 10A • Low Saturation Voltage- : VCE(sat)= 1.4V(Max)@ IC = 10A APPLICATIONS • Designed for linear amplifiers, series pass regulators, and inductive switching applications. 文件：48.01 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

晶体管资料

型号：
2N3772
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
20A
最大工作频率：
>0.2MHZ
引脚数：
2
可代换的型号：
BDX40,BDX60,BDY29,BDY57,BDY76,2N6258,2SD97,2SD631,3DD71D,MJ802,
最大耗散功率：
150W
放大倍数：
图片代号：
E-44
vtest：
100
htest：
200100
atest：
20
wtest：
150

产品属性

产品编号：
2N3772
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
4V @ 4A，20A
电流 - 集电极截止（最大值）：
10mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
15 @ 10A，4V
频率 - 跃迁：
200kHz
安装类型：
底座安装
封装/外壳：
TO-204AA，TO-3
供应商器件封装：
TO-3
描述：
TRANS NPN 60V 20A TO3

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