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2N3507L

Silicon NPN Transistor

文件:109.78 Kbytes 页数:2 Pages

SEMICOA

2N3507L_07

Silicon NPN Transistor

文件:109.78 Kbytes 页数:2 Pages

SEMICOA

2N3509CSM

Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed LCC1

文件:15.69 Kbytes 页数:1 Pages

SEME-LAB

2N3509DCSM

Dual Bipolar NPN Devices in a hermetically sealed

文件:15.04 Kbytes 页数:1 Pages

SEME-LAB

2N3500

Trans GP BJT NPN 150V 0.3A 3-Pin TO-39

NJS

NJS

2N3500

Bipolar Junction Transistors

TT Electronics

2N3500L

包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:NPN POWER SILICON TRANSISTORS

MICROCHIP

微芯科技

2N3500U4

Package:3-SMD,无引线;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 150V 0.3A U4

MICROCHIP

微芯科技

2N3500U4/TR

Package:3-SMD,无引线;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 150V 0.3A U4

MICROCHIP

微芯科技

晶体管资料

  • 型号:

    2N350

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Ge-PNP

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    40V

  • 最大电流允许值:

    3A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    2

  • 可代换的型号:

    AD149,AD166,AUY19,AUY20,2N1529,2N1534,2N2138,2N2143,2N2144,2N2145,2N2146,3AD50A,

  • 最大耗散功率:

    10W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    E-44

  • vtest:

    40

  • htest:

    999900

  • atest:

    3

  • wtest:

    10

技术参数

  • Tolerance of VBR(%):

    15

  • Impulse Breakdown Volts_100V/us(V):

    700

  • Impulse Breakdown Volts_1000V/us(V):

    900

  • Maximum Impulse Discharge Current(8/20us)_1times(KA):

    20

  • Maximum Impulse Discharge Current(8/20us)_10times(KA):

    15

  • Size:

    8.0*6.0

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更多2N350供应商 更新时间2026-1-17 16:30:00