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2N350	文件：88.66 Kbytes Page：1 Pages	GERMANIUM POWER TRANSISTORS 4 AMP GERMANIUM PNP 5 AMP GERMANIUM PNP 6 AMP GERMANIUM PNP 文件：88.66 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
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2N350	文件：300 bytes Page：1 Pages	陶瓷气体放电管	LEADEMC 圳耀	LEADEMC
2N3500	文件：169.46 Kbytes Page：5 Pages	GENERAL PURPOSE TRANSISTOR (NPN SILICON) NPN SILICON GENERAL PURPOSE TRANSISTOR 文件：169.46 Kbytes 页数：5 Pages	BOCA 博卡	BOCA
2N3500	文件：22.37 Kbytes Page：1 Pages	Small Signal Transistors Small Signal Transistors TO-39 Case 文件：22.37 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N3500	文件：45.81 Kbytes Page：2 Pages	Type 2N3500 Geometry 5620 Polarity NPN Chip type 2C3501 by Semicoa Semiconductors provides performance similar to these devices. Product Summary: APPLICATIONS: Designed for switching and amplifier applications. 文件：45.81 Kbytes 页数：2 Pages	SEMICOA	SEMICOA
2N3500	文件：32.45 Kbytes Page：1 Pages	Chip Type 2C3501 Geometry 5620 Polarity NPN Chip type 2C3501 by Semicoa Semiconductors provides performance similar to these devices. Product Summary: APPLICATIONS: Designed for switching and amplifier applications. 文件：32.45 Kbytes 页数：1 Pages	SEMICOA	SEMICOA
2N3500L	文件：32.45 Kbytes Page：1 Pages	Chip Type 2C3501 Geometry 5620 Polarity NPN Chip type 2C3501 by Semicoa Semiconductors provides performance similar to these devices. Product Summary: APPLICATIONS: Designed for switching and amplifier applications. 文件：32.45 Kbytes 页数：1 Pages	SEMICOA	SEMICOA
2N3500L	文件：45.1 Kbytes Page：2 Pages	Type 2N3500L Geometry 5620 Polarity NPN Chip type 2C3501 by Semicoa Semiconductors provides performance similar to these devices. Product Summary: APPLICATIONS: Designed for switching and amplifier applications. 文件：45.1 Kbytes 页数：2 Pages	SEMICOA	SEMICOA

晶体管资料

型号：
2N350
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Ge-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
40V
最大电流允许值：
3A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
2
可代换的型号：
AD149,AD166,AUY19,AUY20,2N1529,2N1534,2N2138,2N2143,2N2144,2N2145,2N2146,3AD50A,
最大耗散功率：
10W
放大倍数：
图片代号：
E-44
vtest：
40
htest：
999900
atest：
3
wtest：
10

技术参数

Tolerance of VBR(%)：
15
Impulse Breakdown Volts_100V/us(V)：
700
Impulse Breakdown Volts_1000V/us(V)：
900
Maximum Impulse Discharge Current(8/20us)_1times(KA)：
20
Maximum Impulse Discharge Current(8/20us)_10times(KA)：
15
Size：
8.0*6.0

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	2N350	MOT	24+	TO-3	10000		询价
深圳市弘为电子有限公司	2N350	MOTOROLA	24+	CAN3	1000	原装现货假一罚十	询价
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深圳市昊创电子有限公司	2N3503	MOTOROLA/摩托罗拉	专业铁帽	CAN3	500	原装铁帽专营,代理渠道量大可订货	询价

更多2N350供应商更新时间2026-1-17 10:50:00

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