2N350资料datasheet下载批发采购第2页-114ic电子网

首页 >2N350>规格书列表

型号	下载订购	功能描述	制造商上传企业	LOGO
2N3501	文件：302.64 Kbytes Page：3 Pages	150 Volts 500mAmps TO-39 Package 150 Volts 500mAmps TO-39 Package Features •Meets MIL-S-19500/366 •Collector-Base Voltage 150V •Collector Current: 500 mA •Fast Switching 1265 nS • Lead Free Finish/RoHS Compliant(Note 1) (P Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) 文件：302.64 Kbytes 页数：3 Pages	MCC	MCC
2N3501	文件：32.45 Kbytes Page：1 Pages	Chip Type 2C3501 Geometry 5620 Polarity NPN Chip type 2C3501 by Semicoa Semiconductors provides performance similar to these devices. Product Summary: APPLICATIONS: Designed for switching and amplifier applications. 文件：32.45 Kbytes 页数：1 Pages	SEMICOA	SEMICOA
2N3501	文件：227.35 Kbytes Page：2 Pages	Power Transistor Description: A Silicon NPN transistor in a TO-39 case intended for low power amplifier and switching applications Description Transistor, NPN, 0.3A, 150V, TO-39 文件：227.35 Kbytes 页数：2 Pages	MULTICOMP 易络盟	MULTICOMP
2N3501	文件：169.46 Kbytes Page：5 Pages	GENERAL PURPOSE TRANSISTOR (NPN SILICON) NPN SILICON GENERAL PURPOSE TRANSISTOR 文件：169.46 Kbytes 页数：5 Pages	BOCA 博卡	BOCA
2N3501	文件：22.37 Kbytes Page：1 Pages	Small Signal Transistors Small Signal Transistors TO-39 Case 文件：22.37 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N3501	文件：511.42 Kbytes Page：2 Pages	NPN BIPOLAR TRANSISTOR RADIATION HARDENED NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/366 文件：511.42 Kbytes 页数：2 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
2N3501	文件：280.29 Kbytes Page：3 Pages	NPN Transistor Bare Die Features:  High Breakdown Voltage  Low VCE(sat)  Characterized at temperature extremes  High Reliability Gold Back Metal  High Reliability tested grades for Military + Space 文件：280.29 Kbytes 页数：3 Pages	SS	SS
2N3501L	文件：45.06 Kbytes Page：2 Pages	Type 2N3501L Geometry 5620 Polarity NPN Chip type 2C3501 by Semicoa Semiconductors provides performance similar to these devices. Product Summary: APPLICATIONS: Designed for switching and amplifier applications. 文件：45.06 Kbytes 页数：2 Pages	SEMICOA	SEMICOA
2N3501L	文件：32.45 Kbytes Page：1 Pages	Chip Type 2C3501 Geometry 5620 Polarity NPN Chip type 2C3501 by Semicoa Semiconductors provides performance similar to these devices. Product Summary: APPLICATIONS: Designed for switching and amplifier applications. 文件：32.45 Kbytes 页数：1 Pages	SEMICOA	SEMICOA
2N3501UB	文件：114.79 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Transistor Description Semicoa Semiconductors offers: • Screening and processing per MIL-PRF-19500 AppendixE • JAN level (2N3501UBJ) • JANTX level (2N3501UBJX) • JANTXV level (2N3501UBJV) • JANS level (2N3501UBJS) • QCI to the applicable level • 100 die visual inspection per MI 文件：114.79 Kbytes 页数：2 Pages	SEMICOA	SEMICOA

<<<123 4 5 6 7 >>>

晶体管资料

型号：
2N350
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Ge-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
40V
最大电流允许值：
3A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
2
可代换的型号：
AD149,AD166,AUY19,AUY20,2N1529,2N1534,2N2138,2N2143,2N2144,2N2145,2N2146,3AD50A,
最大耗散功率：
10W
放大倍数：
图片代号：
E-44
vtest：
40
htest：
999900
atest：
3
wtest：
10

技术参数

Tolerance of VBR(%)：
15
Impulse Breakdown Volts_100V/us(V)：
700
Impulse Breakdown Volts_1000V/us(V)：
900
Maximum Impulse Discharge Current(8/20us)_1times(KA)：
20
Maximum Impulse Discharge Current(8/20us)_10times(KA)：
15
Size：
8.0*6.0

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	2N350	MOT	24+	TO-3	10000		询价
深圳市弘为电子有限公司	2N350	MOTOROLA	24+	CAN3	1000	原装现货假一罚十	询价
深圳市豪迈兴电子有限公司	2N3507	MOT	24+	CAN3	4231	公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存!	询价
上海鑫科润电子科技有限公司	2N3501	MOT	96+	TO-39	290	原装现货海量库存欢迎咨询	询价
上海金庆电子技术有限公司	2N3503	FUJITSU	新		7	全新原装货期两周	询价
千层芯半导体(深圳)有限公司	2N3501JAN	MICROSEMI	24+	SMD	1680	MICROSEMI专营品牌进口原装现货假一赔十	询价
深圳市华斯顿科技有限公司	2N3507	NJS	25+23+	TO-39	34535	绝对原装正品全新进口深圳现货	询价
深圳市福田区亿兴成电子商行	2N3501	SSI	CAN	6688	10	现货库存	询价
深圳市达恩科技有限公司	2N3500	M	24+	CAN	300	进口原装正品优势供应	询价
深圳市昊创电子有限公司	2N3503	MOTOROLA/摩托罗拉	专业铁帽	CAN3	500	原装铁帽专营,代理渠道量大可订货	询价

更多2N350供应商更新时间2026-1-17 14:31:00

客户服务网站合作

Tel：0755 8246 9263
Email：kf＠114ic.com
投诉建议：kf@114ic.com

Copyright © 2003-2026 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号