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2N3500	文件：32.45 Kbytes Page：1 Pages	Chip Type 2C3501 Geometry 5620 Polarity NPN Chip type 2C3501 by Semicoa Semiconductors provides performance similar to these devices. Product Summary: APPLICATIONS: Designed for switching and amplifier applications. 文件：32.45 Kbytes 页数：1 Pages	SEMICOA	SEMICOA
2N3500	文件：110.31 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Transistor 文件：110.31 Kbytes 页数：2 Pages	SEMICOA	SEMICOA
2N3500	文件：15.36 Kbytes Page：1 Pages	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO39 文件：15.36 Kbytes 页数：1 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
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2N3500	文件：69.36 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON TRANSISTOR 文件：69.36 Kbytes 页数：2 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
2N3500	文件：111.61 Kbytes Page：3 Pages	RADIATION HARDENED 文件：111.61 Kbytes 页数：3 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI

晶体管资料

型号：
2N3500(S)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（Uni）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
150V
最大电流允许值：
0.3A
最大工作频率：
>150MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BSS43,BSW68,2SC1860,2N2990,3DG182,
最大耗散功率：
1W
放大倍数：
β>100
图片代号：
C-78
vtest：
150
htest：
150000100
atest：
0.3
wtest：
1

产品属性

产品编号：
2N3500
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
400mV @ 15mA，150mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
10µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 150mA，10V
工作温度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-205AD，TO-39-3 金属罐
供应商器件封装：
TO-39（TO-205AD）
描述：
TRANS NPN 150V 0.3A TO39

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