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2N3501	文件：316.26 Kbytes Page：5 Pages	NPN SILICON PLANAR RF TRANSISTORS 文件：316.26 Kbytes 页数：5 Pages	CDIL	CDIL
2N3501	文件：132.32 Kbytes Page：1 Pages	GENERAL PURPOSE TRANSISTOR 文件：132.32 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N3501	文件：25.64 Kbytes Page：3 Pages	NPN SILICON TRANSISTOR 文件：25.64 Kbytes 页数：3 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
2N3501_04	文件：110.63 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Transistor 文件：110.63 Kbytes 页数：2 Pages	SEMICOA	SEMICOA
2N3501CSM4	文件：17.89 Kbytes Page：3 Pages	HIGH VOLTAGE, MEDIUM POWER, NPN TRANSISTOR IN A HERMETICALLY SEALED CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE FOR HIGH RELIABILITY APPLICATIONS 文件：17.89 Kbytes 页数：3 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
2N3501DCSM	文件：27.19 Kbytes Page：2 Pages	DUAL BIPOLAR NPN DEVICES 文件：27.19 Kbytes 页数：2 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
2N3501L	文件：15.25 Kbytes Page：1 Pages	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO5 文件：15.25 Kbytes 页数：1 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
2N3501L	文件：69.36 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON TRANSISTOR 文件：69.36 Kbytes 页数：2 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
2N3501L	文件：111.61 Kbytes Page：3 Pages	RADIATION HARDENED 文件：111.61 Kbytes 页数：3 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
2N3501UB	文件：111.61 Kbytes Page：3 Pages	RADIATION HARDENED 文件：111.61 Kbytes 页数：3 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI

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晶体管资料

型号：
2N350
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Ge-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
40V
最大电流允许值：
3A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
2
可代换的型号：
AD149,AD166,AUY19,AUY20,2N1529,2N1534,2N2138,2N2143,2N2144,2N2145,2N2146,3AD50A,
最大耗散功率：
10W
放大倍数：
图片代号：
E-44
vtest：
40
htest：
999900
atest：
3
wtest：
10

技术参数

Tolerance of VBR(%)：
15
Impulse Breakdown Volts_100V/us(V)：
700
Impulse Breakdown Volts_1000V/us(V)：
900
Maximum Impulse Discharge Current(8/20us)_1times(KA)：
20
Maximum Impulse Discharge Current(8/20us)_10times(KA)：
15
Size：
8.0*6.0

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2N350供应商更新时间2026-1-17 16:30:00

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