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2N20	文件：68 Kbytes Page：2 Pages	Drain Current ID= 2A@ TC=25C 文件：68 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
HM2N20MR	文件：928.17 Kbytes Page：6 Pages	丝印：2N20；Package：SOT23-3；200V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：928.17 Kbytes 页数：6 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI
2N200	文件：108.6 Kbytes Page：1 Pages	P-N-P GERMANIUM TRANSISTOR P-N-P GERMANIUM TRANSISTOR 文件：108.6 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N2000	文件：267.79 Kbytes Page：3 Pages	alloy-junction germanium transistors [INTEX/ SEMITRONICS CORP] alloy-junction germanium transistors 文件：267.79 Kbytes 页数：3 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2N2001	文件：267.79 Kbytes Page：3 Pages	alloy-junction germanium transistors [INTEX/ SEMITRONICS CORP] alloy-junction germanium transistors 文件：267.79 Kbytes 页数：3 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2N2013	文件：80.28 Kbytes Page：1 Pages	SCR, V(DRM) = 300 V TO 399.9 V Description: SCR, V(DRM)= 300 V to 399.9 V 文件：80.28 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N2015	文件：166.44 Kbytes Page：2 Pages	20 STERN AVE SPRINGFIELD,NEW JERSEY 07081 U.S.A JEDEC TYPE NO. 2N2015 文件：166.44 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N2017	文件：81.72 Kbytes Page：1 Pages	Small Signal Transistors Small Signal Transistors 文件：81.72 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N2017	文件：81.72 Kbytes Page：1 Pages	Small Signal Transistors Small Signal Transistors 文件：81.72 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N2017	文件：55.55 Kbytes Page：1 Pages	SMALL SIGNAL TRANSISTORS Small Signal Transistors TO-39 Case (Continued) 文件：55.55 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL

晶体管资料

型号：
2N200
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Ge-PNP
性质：
通用型（Uni）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
36V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
AC122,AC125,AC126,AC151,2N1191,2N1192,2N1193,2N1194,3AX51D,
最大耗散功率：
0.1W
放大倍数：
图片代号：
D-9
vtest：
36
htest：
999900
atest：
0.1
wtest：
0.1

技术参数

Maximum Power Dissipation：
150mW
Maximum Operating Temperature：
85ﾡC
Maximum Emitter Base Voltage：
25V
Maximum DC Collector Current：
0.3A
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
0.2@10mA@0.5mAV
Maximum Collector Base Voltage：
25V
Material：
Ge
Configuration：
Single
Category：
Bipolar Small Signal

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