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2N200	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT PNP 0.3A	NJS 新泽西半导体	NJS
2N2000	文件：267.79 Kbytes Page：3 Pages	alloy-junction germanium transistors [INTEX/ SEMITRONICS CORP] alloy-junction germanium transistors 文件：267.79 Kbytes 页数：3 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
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2N2000	文件：1.13939 Mbytes Page：2 Pages	GERMANIUM PNP MESA TRANSISTORS 文件：1.13939 Mbytes 页数：2 Pages	AMERICASEMI	AMERICASEMI
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晶体管资料

型号：
2N200
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Ge-PNP
性质：
通用型（Uni）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
36V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
AC122,AC125,AC126,AC151,2N1191,2N1192,2N1193,2N1194,3AX51D,
最大耗散功率：
0.1W
放大倍数：
图片代号：
D-9
vtest：
36
htest：
999900
atest：
0.1
wtest：
0.1

技术参数

Maximum Power Dissipation：
150mW
Maximum Operating Temperature：
85ﾡC
Maximum Emitter Base Voltage：
25V
Maximum DC Collector Current：
0.3A
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
0.2@10mA@0.5mAV
Maximum Collector Base Voltage：
25V
Material：
Ge
Configuration：
Single
Category：
Bipolar Small Signal

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更多2N200供应商更新时间2026-4-22 17:06:00

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