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2N2018	文件：124.53 Kbytes Page：1 Pages	NPN SWITCHING TRANSISTORS NPN SWITCHING TRANSISTORS Ic = 1.0 AMPS 文件：124.53 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N2019	文件：124.53 Kbytes Page：1 Pages	NPN SWITCHING TRANSISTORS NPN SWITCHING TRANSISTORS Ic = 1.0 AMPS 文件：124.53 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N2023	文件：53.52 Kbytes Page：1 Pages	20 STERN ave. Thyristors SCR 文件：53.52 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N2023	文件：163.69 Kbytes Page：3 Pages	SILICON CONTROLLED RECTIFIERS Silicon Controlled Rectifiers ● High dv/dt-1000 V/usec. ● 1400 Amperes surge current ● Low forward on-state voltage ● Package conforming to TO-209AC outline ● Economical for general purpose phase control applications 文件：163.69 Kbytes 页数：3 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
2N2023	文件：162.65 Kbytes Page：3 Pages	Silicon Controlled Rectifiers Silicon Controlled Rectifiers ● High dv/dt-1000 V/usec. ● 1400 Amperes surge current ● Low forward on-state voltage ● Package conforming to TO-209AC outline ● Economical for general purpose phase control applications 文件：162.65 Kbytes 页数：3 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
2N2024	文件：163.69 Kbytes Page：3 Pages	SILICON CONTROLLED RECTIFIERS Silicon Controlled Rectifiers ● High dv/dt-1000 V/usec. ● 1400 Amperes surge current ● Low forward on-state voltage ● Package conforming to TO-209AC outline ● Economical for general purpose phase control applications 文件：163.69 Kbytes 页数：3 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
2N2024	文件：162.65 Kbytes Page：3 Pages	Silicon Controlled Rectifiers Silicon Controlled Rectifiers ● High dv/dt-1000 V/usec. ● 1400 Amperes surge current ● Low forward on-state voltage ● Package conforming to TO-209AC outline ● Economical for general purpose phase control applications 文件：162.65 Kbytes 页数：3 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
2N2024	文件：53.52 Kbytes Page：1 Pages	20 STERN ave. Thyristors SCR 文件：53.52 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N2025	文件：53.52 Kbytes Page：1 Pages	20 STERN ave. Thyristors SCR 文件：53.52 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N2025	文件：163.69 Kbytes Page：3 Pages	SILICON CONTROLLED RECTIFIERS Silicon Controlled Rectifiers ● High dv/dt-1000 V/usec. ● 1400 Amperes surge current ● Low forward on-state voltage ● Package conforming to TO-209AC outline ● Economical for general purpose phase control applications 文件：163.69 Kbytes 页数：3 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI

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晶体管资料

型号：
2N200
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Ge-PNP
性质：
通用型（Uni）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
36V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
AC122,AC125,AC126,AC151,2N1191,2N1192,2N1193,2N1194,3AX51D,
最大耗散功率：
0.1W
放大倍数：
图片代号：
D-9
vtest：
36
htest：
999900
atest：
0.1
wtest：
0.1

技术参数

Maximum Power Dissipation：
150mW
Maximum Operating Temperature：
85ﾡC
Maximum Emitter Base Voltage：
25V
Maximum DC Collector Current：
0.3A
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
0.2@10mA@0.5mAV
Maximum Collector Base Voltage：
25V
Material：
Ge
Configuration：
Single
Category：
Bipolar Small Signal

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市勤思达科技有限公司	2N20		12+	TO-252	15000	全新原装,绝对正品,公司现货供应。	询价
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