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2N2013

SCR, V(DRM) = 300 V TO 399.9 V

Description: SCR, V(DRM)= 300 V to 399.9 V

文件:80.28 Kbytes 页数:1 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2N2013

SCR, V(DRM)= 300V TO 399.9V

NJS

新泽西半导体

2N2646

TO-18

NO

2N2649

CAN

MOT

2N2907A

RAY

晶体管资料

  • 型号:

    2N2013

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    50HZ-Thy

  • 性质:

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    300V

  • 最大电流允许值:

    1.3A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    MCR606-5,TAG615-300,2N2328,2N6336,

  • 最大耗散功率:

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    C-78

  • vtest:

    300

  • htest:

    999900

  • atest:

    1.3

  • wtest:

    0

详细参数

  • 型号:

    2N2013

  • 制造商:

    NJSEMI

  • 制造商全称:

    New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

  • 功能描述:

    SCR, V(DRM) = 300 V TO 399.9 V

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