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2ED2103S06F	文件：776.08 Kbytes Page：26 Pages	650 V half bridge gate driver with integrated bootstrap diode Features •UniqueInfineonThin-Film-SiliconOnInsulator(SOI)-technology •NegativeVStransientimmunityof-100V •Floatingchanneldesignedforbootstrapoperation •Operatingvoltages(VSnode)upto+650V •Maximumbootstrapvoltage(VBnode)of+675V •Integratedultra-fast,low	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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2ED2103S06F

文件：776.08 Kbytes

Page：26 Pages

650 V half bridge gate driver with integrated bootstrap diode

Features •UniqueInfineonThin-Film-SiliconOnInsulator(SOI)-technology •NegativeVStransientimmunityof-100V •Floatingchanneldesignedforbootstrapoperation •Operatingvoltages(VSnode)upto+650V •Maximumbootstrapvoltage(VBnode)of+675V •Integratedultra-fast,low

InfineonInfineon Technologies AG

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InfineonInfineon Technologies AG

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2ED2103S06FXUMA1

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Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：LEVEL SHIFT SOI

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深圳市勤尚伟业电子有限公司	2ED2103S06F				8800	原装正品+13925678267	询价
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更多2ED2103S06F供应商更新时间2025-5-7 11:00:00

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