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2ED2108S06F	文件：1.54825 Mbytes Page：26 Pages	650 V half bridge gate driver with integrated bootstrap diode Description The2ED21091S06Fisahighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverwithdependenthighandlowsidereferencedoutputchannels.BasedonInfineon’sSOI-technologythereisanexcellentruggednessandnoiseimmunitywithcapabilitytomaintainoperationallogicatnegativevol	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
2ED2108S06F	文件：1.70988 Mbytes Page：25 Pages	650 V half bridge gate driver with integrated bootstrap diode Description The2ED2108(4)S06F(J)isahighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverwithdependenthighandlowsidereferencedoutputchannels.BasedonInfineon’sSOI-technologythereisanexcellentruggednessandnoiseimmunitywithcapabilitytomaintainoperationallogicatnega	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
2ED2108S06F	文件：1.67112 Mbytes Page：26 Pages	650 V half bridge gate driver with integrated bootstrap diode Description The2ED2109(4)S06F(J)isahighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverwithdependenthighandlowsidereferencedoutputchannels.BasedonInfineon’sSOI-technologythereisanexcellentruggednessandnoiseimmunitywithcapabilitytomaintainoperationallogicatnega	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
2ED2108S06F	文件：1.61501 Mbytes Page：24 Pages	650 V high-side and low-side gate driver with integrated bootstrap diode Description The2ED2106(4)S06F(J)isahighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverwithindependenthighandlowsidereferencedoutputchannels.BasedonInfineon’sSOI-technologythereisanexcellentruggednessandnoiseimmunitywithcapabilitytomaintainoperationallogicatnegat	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
2ED2108S06F	文件：300 bytes Page：1 Pages	650 V, 0.7 A half-bridge gate driver with integrated bootstrap diode in DSO-8 package;	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
2ED2108S06FXUMA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC HALF BRIDGE GATE DRIVER 650V	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

技术参数

Product Status：
active and preferred
Voltage Class：
650 V
Output Current Source：
0.29 A
Output Current Sink：
0.7 A
Channels：
2
Configuration：
Half Bridge
Qualification：
Industrial
Isolation Type：
Functional levelshift
Switch Type：
IGBT/MOSFET
Package name：
PG-DSO-8
UVLO Input Off：
8.2 V
UVLO Output Off：
7.2 V
Turn On Propagation Delay max：
300 ns
Turn On Propagation Delay：
200 ns
Turn Off Propagation Delay max：
300 ns
Turn Off Propagation Delay：
200 ns
Input Vcc min：
10 V
Input Vcc max：
20 V
Output Vbs min：
10 V
Output Vbs max：
20 V
Rise Time max：
150 ns
Rise Time：
100 ns
Fall Time max：
80 ns
Fall Time：
35 ns
UVLO Input On：
9.1 V
UVLO Output On：
8.2 V

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更多2ED2108S06F供应商更新时间2025-7-28 10:22:00

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