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2ED2182S06F	文件：1.67944 Mbytes Page：24 Pages	650 V high-side and low-side gate driver with integrated bootstrap diode Description The 2ED2181(4)S06F(J) is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver with independent high and low side referenced output channels. Based on Infineon’s SOI-technology there is an excellent ruggedness and noise immunity with capability to maintain operational logic at negat 文件：1.67944 Mbytes 页数：24 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
2ED2182S06F	文件：2.18724 Mbytes Page：25 Pages	650 V half-bridge gate driver with integrated bootstrap diode Description The 2ED2182(4)S06F(J) is a half-bridge high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver with independent high and low side referenced output channels. Based on Infineon’s SOI-technology there is an excellent ruggedness and noise immunity with capability to maintain operational lo 文件：2.18724 Mbytes 页数：25 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
2ED2182S06F	文件：300 bytes Page：1 Pages	650 V、2.5 A 高电流半桥栅极驱动器 IC，集成自举二极管，采用 DSO-8 封装	Infineon 英飞凌	Infineon
2ED2182S06FXUMA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC HALF BRIDGE GATE DRIVER 650V	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Product Status：
active and preferred
Voltage Class：
650 V
Output Current Source：
2.5 A
Output Current Sink：
2.5 A
Channels：
2
Configuration：
Half Bridge
Qualification：
Industrial
Isolation Type：
Functional levelshift
Switch Type：
IGBT/MOSFET
Package name：
PG-DSO-8
UVLO Input Off：
8.2 V
UVLO Output Off：
7.2 V
Turn On Propagation Delay max：
300 ns
Turn On Propagation Delay：
200 ns
Turn Off Propagation Delay max：
300 ns
Turn Off Propagation Delay：
200 ns
Input Vcc min：
10 V
Input Vcc max：
20 V
Output Vbs min：
10 V
Output Vbs max：
20 V
Rise Time max：
30 ns
Rise Time：
15 ns
Fall Time max：
30 ns
Fall Time：
15 ns
UVLO Input On：
9.1 V
UVLO Output On：
8.2 V

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