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2ED2182S06F数据手册集成电路(IC)的栅极驱动器规格书PDF

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厂商型号

2ED2182S06F

参数属性

2ED2182S06F 封装/外壳为8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为集成电路(IC)的栅极驱动器;产品描述:IC HALF BRIDGE GATE DRIVER 650V

功能描述

650 V, 2.5 A high current half-bridge gate driver IC with integrated bootstrap diode in DSO-8 package
IC HALF BRIDGE GATE DRIVER 650V

封装外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 23:00:00

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2ED2182S06F规格书详情

简介

2ED2182S06F属于集成电路(IC)的栅极驱动器。由制造生产的2ED2182S06F栅极驱动器栅极驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 可用于提供隔离、放大、参考位移、自举或其他必要功能,这些功能可将来自电源转换应用中控制设备的信号连接到电源被控制通过的半导体设备(通常为 FET 或 IGBT)。任何特定设备提供的确切功能各不相同,但与它适合驱动的半导体配置相关。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :2ED2182S06F

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Product Status

    :active and preferred

  • Voltage Class

    :650 V

  • Output Current Source

    :2.5 A

  • Output Current Sink

    :2.5 A

  • Channels

    :2

  • Configuration

    :Half Bridge

  • Qualification

    :Industrial

  • Isolation Type

    :Functional levelshift

  • Switch Type

    :IGBT/MOSFET

  • Package name

    :PG-DSO-8

  • UVLO Input Off

    :8.2 V

  • UVLO Output Off

    :7.2 V

  • Turn On Propagation Delay max

    :300 ns

  • Turn On Propagation Delay

    :200 ns

  • Turn Off Propagation Delay max

    :300 ns

  • Turn Off Propagation Delay

    :200 ns

  • Input Vcc min

    :10 V

  • Input Vcc max

    :20 V

  • Output Vbs min

    :10 V

  • Output Vbs max

    :20 V

  • Rise Time max

    :30 ns

  • Rise Time

    :15 ns

  • Fall Time max

    :30 ns

  • Fall Time

    :15 ns

  • UVLO Input On

    :9.1 V

  • UVLO Output On

    :8.2 V

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon(英飞凌)
24+
标准封装
31048
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Infineon/英飞凌
23+
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