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2ED020I12-F数据手册集成电路(IC)的栅极驱动器规格书PDF

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厂商型号

2ED020I12-F

参数属性

2ED020I12-F 封装/外壳为18-SOIC(0.295",7.50mm 宽);包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC)的栅极驱动器;产品描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE DSO18-2

功能描述

Dual IGBT Driver IC for eupec Low and Medium Power IGBT Modules
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE DSO18-2

封装外壳

18-SOIC(0.295",7.50mm 宽)

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 15:16:00

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2ED020I12-F规格书详情

简介

2ED020I12-F属于集成电路(IC)的栅极驱动器。由制造生产的2ED020I12-F栅极驱动器栅极驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 可用于提供隔离、放大、参考位移、自举或其他必要功能,这些功能可将来自电源转换应用中控制设备的信号连接到电源被控制通过的半导体设备(通常为 FET 或 IGBT)。任何特定设备提供的确切功能各不相同,但与它适合驱动的半导体配置相关。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    2ED020I12-F

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 驱动配置:

    半桥

  • 通道类型:

    独立式

  • 栅极类型:

    IGBT,N 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    0V ~ 18V

  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):

    1A,2A

  • 输入类型:

    反相

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    18-SOIC(0.295",7.50mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    PG-DSO-18-2

  • 描述:

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE DSO18-2

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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