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2ED2388S06F	文件：776.08 Kbytes Page：26 Pages	650 V half bridge gate driver with integrated bootstrap diode Features • Unique Infineon Thin-Film-Silicon On Insulator (SOI)-technology • Negative VS transient immunity of -100 V • Floating channel designed for bootstrap operation • Operating voltages (VS node) upto + 650 V • Maximum bootstrap voltage (VB node) of + 675 V • Integrated ultra-fast, low 文件：776.08 Kbytes 页数：26 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
2ED2388S06FXUMA1	文件：776.08 Kbytes Page：26 Pages	650 V half bridge gate driver with integrated bootstrap diode Features • Unique Infineon Thin-Film-Silicon On Insulator (SOI)-technology • Negative VS transient immunity of -100 V • Floating channel designed for bootstrap operation • Operating voltages (VS node) upto + 650 V • Maximum bootstrap voltage (VB node) of + 675 V • Integrated ultra-fast, low 文件：776.08 Kbytes 页数：26 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
2ED2388S06F	文件：300 bytes Page：1 Pages	集成自举二极管的 650 V 半桥栅极驱动器 \n优势:;	Infineon 英飞凌	Infineon
2EDGK5.08	文件：0 bytes Page：0 Pages	DIP	HW 汉威光电上传：深圳市弘为电子有限公司	HW
2EDL05N06PFXUMA1	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOP8	INFINEON 英飞凌上传：深圳市科芯源微电子有限公司	INFINEON

更多2ED2388S06F供应商更新时间2026-1-25 15:16:00