带有集成自举二极管的 650 V 高侧和低侧栅极驱动器

\n优势:\n• High current gate driver - suitable for high current power device, and high frequency application\n• Integrated bootstrap diode - space savings, reduced BOM cost, smaller PCB at lower cost with simpler design\n• 50% lower level-shift losses\n• Excellent ruggedness and noise immunity aga;

Infineon

英飞凌

650 V high-side and low-side gate driver with integrated bootstrap diode

文件：1.12505 Mbytes 页数：25 Pages

Infineon

英飞凌

Package：16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：集成电路（IC） 栅极驱动器 描述：LEVEL SHIFT SOI

Infineon

英飞凌

QFN

Infineon

英飞凌

上传：深圳市维尔达电子有限公司

DIP

HW

汉威光电

上传：深圳市弘为电子有限公司