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2ED2110S06M集成电路(IC)的栅极驱动器规格书PDF中文资料

2ED2110S06M
厂商型号

2ED2110S06M

参数属性

2ED2110S06M 封装/外壳为16-SOIC(0.295",7.50mm 宽);包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为集成电路(IC)的栅极驱动器;产品描述:LEVEL SHIFT SOI

功能描述

650 V high-side and low-side gate driver with integrated bootstrap diode
LEVEL SHIFT SOI

封装外壳

16-SOIC(0.295",7.50mm 宽)

文件大小

1.12505 Mbytes

页面数量

25

生产厂商 Infineon Technologies AG
企业简称

INFINEON英飞凌

中文名称

英飞凌科技股份公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-28 17:22:00

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2ED2110S06M规格书详情

2ED2110S06M属于集成电路(IC)的栅极驱动器。由英飞凌科技股份公司制造生产的2ED2110S06M栅极驱动器栅极驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 可用于提供隔离、放大、参考位移、自举或其他必要功能,这些功能可将来自电源转换应用中控制设备的信号连接到电源被控制通过的半导体设备(通常为 FET 或 IGBT)。任何特定设备提供的确切功能各不相同,但与它适合驱动的半导体配置相关。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    2ED2110S06MXUMA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 驱动配置:

    高压侧和低压侧

  • 通道类型:

    独立式

  • 栅极类型:

    IGBT,N 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    10V ~ 20V

  • 逻辑电压 - VIL,VIH:

    6V,14V

  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):

    2.5A,2.5A

  • 输入类型:

    非反相

  • 上升/下降时间(典型值):

    25ns,17ns

  • 工作温度:

    -40°C ~ 125°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    16-SOIC(0.295",7.50mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    16-SOIC

  • 描述:

    LEVEL SHIFT SOI

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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