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2ED2106S06F	文件：1.70988 Mbytes Page：25 Pages	650 V half bridge gate driver with integrated bootstrap diode Description The 2ED2108 (4) S06F (J) is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver with dependent high and low side referenced output channels. Based on Infineon’s SOI-technology there is an excellent ruggedness and noise immunity with capability to maintain operational logic at nega 文件：1.70988 Mbytes 页数：25 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
2ED2106S06F	文件：1.67112 Mbytes Page：26 Pages	650 V half bridge gate driver with integrated bootstrap diode Description The 2ED2109 (4) S06F (J) is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver with dependent high and low side referenced output channels. Based on Infineon’s SOI-technology there is an excellent ruggedness and noise immunity with capability to maintain operational logic at nega 文件：1.67112 Mbytes 页数：26 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
2ED2106S06F	文件：1.61501 Mbytes Page：24 Pages	650 V high-side and low-side gate driver with integrated bootstrap diode Description The 2ED2106(4)S06F(J) is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver with independent high and low side referenced output channels. Based on Infineon’s SOI-technology there is an excellent ruggedness and noise immunity with capability to maintain operational logic at negat 文件：1.61501 Mbytes 页数：24 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
2ED2106S06F	文件：1.54825 Mbytes Page：26 Pages	650 V half bridge gate driver with integrated bootstrap diode Description The 2ED21091S06F is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver with dependent high and low side referenced output channels. Based on Infineon’s SOI-technology there is an excellent ruggedness and noise immunity with capability to maintain operational logic at negative vol 文件：1.54825 Mbytes 页数：26 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
2ED2106S06F	文件：300 bytes Page：1 Pages	650 V, 0.7 A high-side and low-side gate driver with integrated bootstrap diode in DSO-8 package	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Product Status：
active and preferred
Voltage Class：
650 V
Output Current Source：
0.29 A
Output Current Sink：
0.7 A
Channels：
2
Configuration：
High-side and low-side
Qualification：
Industrial
Isolation Type：
Functional levelshift
Switch Type：
IGBT/MOSFET
Package name：
PG-DSO-8
UVLO Input Off：
8.2 V
UVLO Output Off：
7.2 V
Turn On Propagation Delay max：
300 ns
Turn On Propagation Delay：
200 ns
Turn Off Propagation Delay max：
300 ns
Turn Off Propagation Delay：
200 ns
Input Vcc min：
10 V
Input Vcc max：
20 V
Output Vbs min：
10 V
Output Vbs max：
20 V
Rise Time max：
150 ns
Rise Time：
100 ns
Fall Time max：
80 ns
Fall Time：
35 ns
UVLO Input On：
9.1 V
UVLO Output On：
8.2 V

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更多2ED2106S06F供应商更新时间2025-10-13 13:32:00

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