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20N60_15	文件：207.55 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNEL MOSFET FOR HIGH SPEED SWITCHING 文件：207.55 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
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20N60A4	文件：908.79 Kbytes Page：8 Pages	600V, SMPS Series N-Channel IGBTs 文件：908.79 Kbytes 页数：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
20N60A4D	文件：157.02 Kbytes Page：9 Pages	600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode 文件：157.02 Kbytes 页数：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
20N60CFD	文件：50.2 Kbytes Page：1 Pages	HITACHI Encapsulation, DIP 16 文件：50.2 Kbytes 页数：1 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
20N60CFD	文件：471.68 Kbytes Page：12 Pages	CoolMOS Power Transistor 文件：471.68 Kbytes 页数：12 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
20N60CFD	文件：654.59 Kbytes Page：12 Pages	CoolMOSTM Power Transistor Features New revolutionary high voltage technology Extreme dv/dt rated 文件：654.59 Kbytes 页数：12 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
20N60G-T3P-T	文件：207.55 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNEL MOSFET FOR HIGH SPEED SWITCHING 文件：207.55 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
20N60G-T47-T	文件：207.55 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNEL MOSFET FOR HIGH SPEED SWITCHING 文件：207.55 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC

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详细参数

型号：
20N
功能描述：
射频放大器 LNA W/BYPASS SWITCH
RoHS：
否
制造商：
Skyworks Solutions, Inc.
类型：
Low Noise Amplifier
工作频率：
2.3 GHz to 2.8 GHz
P1dB：
18.5 dBm
输出截获点：
37.5 dBm
功率增益类型：
32 dB
噪声系数：
0.85 dB
工作电源电压：
5 V
电源电流：
125 mA
测试频率：
2.6 GHz
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
QFN-16
封装：
Reel

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