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20N60L-T3P-T

N-CHANNEL MOSFET FOR HIGH SPEED SWITCHING

文件:207.55 Kbytes 页数:3 Pages

UTC

友顺

20N60L-T47-T

N-CHANNEL MOSFET FOR HIGH SPEED SWITCHING

文件:207.55 Kbytes 页数:3 Pages

UTC

友顺

20N621K

Metal Oxide Varistors Data Sheet

文件:325.33 Kbytes 页数:5 Pages

HUAXINAN

华兴安

20N65_15

N-CHANNEL POWER MOSFET

文件:246.84 Kbytes 页数:5 Pages

UTC

友顺

20N65A

20A 650V N-channel enhancement mode field effect transistor

文件:891.65 Kbytes 页数:6 Pages

YFWDIODE

佑风微

20N65C3

Super Junction MOSFET

文件:513.45 Kbytes 页数:7 Pages

NCEPOWER

新洁能

20N65M5

N-channel 650 V, 0.160 typ., 18 A MDmesh V Power MOSFET in D2PAK, I2PAK

文件:1.17545 Mbytes 页数:21 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

20N65Y

20 Amps,650 Volts N-CHANNEL MOSFET

文件:481.89 Kbytes 页数:7 Pages

CHONGQING

平伟实业

20N680K

Metal Oxide Varistors Data Sheet

文件:325.33 Kbytes 页数:5 Pages

HUAXINAN

华兴安

20N681K

Metal Oxide Varistors Data Sheet

文件:325.33 Kbytes 页数:5 Pages

HUAXINAN

华兴安

详细参数

  • 型号:

    20N

  • 功能描述:

    射频放大器 LNA W/BYPASS SWITCH

  • RoHS:

  • 制造商:

    Skyworks Solutions, Inc.

  • 类型:

    Low Noise Amplifier

  • 工作频率:

    2.3 GHz to 2.8 GHz

  • P1dB:

    18.5 dBm

  • 输出截获点:

    37.5 dBm

  • 功率增益类型:

    32 dB

  • 噪声系数:

    0.85 dB

  • 工作电源电压:

    5 V

  • 电源电流:

    125 mA

  • 测试频率:

    2.6 GHz

  • 最大工作温度:

    + 85 C

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    QFN-16

  • 封装:

    Reel

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更多20N供应商 更新时间2026-3-10 17:00:00