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1N5819	文件：239.81 Kbytes Page：2 Pages	1.0 AMP. Schottky Barrier Rectifiers VoltageRange20to40VoltsCurrent1.0Ampere Features ◇Lowforwardvoltagedrop ◇Highcurrentcapability ◇Highreliability ◇Highsurgecurrentcapability	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
1N5819	文件：67.87 Kbytes Page：1 Pages	SCHOTTKY DIODE FEATURES Powerdissipation PD:300mW(Tamb=25℃) Collectorcurrent IF:1A Collector-basevoltage VR:1N5817:20V 1N5819:40V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
1N5819	文件：88.24 Kbytes Page：4 Pages	SCHOTTKY BARRIER DIODE FEATURES Schottkybarrierchip Lowpowerloss,highefficiency. Lowforwardvoltagedrop. Highsurgecurrentcapability. *Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,freewheeling diode,andpolarityprotectionapplications.	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
1N5819	文件：42.52 Kbytes Page：2 Pages	1 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS 1AmpSchottkyRectifier ●SchottkyBarrierRectifier ●GuardRingProtection ●LowForwardVoltage ●HighReliability ●HighCurrentCapability	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N5819	文件：64.959 Kbytes Page：2 Pages	1.0 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS VOLTAGERANGE20to40VoltsCURRENT1.0Ampere FEATURES Lowforwardvoltagedrop Highcurrentcapability Highreliability Highsurgecurrentcapability *Epitaxialconstruction	UNIOHMUniohm 台湾厚声	UNIOHM
1N5819	文件：120.75 Kbytes Page：2 Pages	1.0AMP. Schottky Barrier Rectifier VOLTAGE:20TO40VCURRENT:1.0A SpecificationFeatures: ▪Case:Epoxy,Molded ▪Weight:0.4Gram(Approximately) ▪Highcurrentcapability,Lowforwardvoltagedrop ▪Highsurgecurrentcapability ▪Finish:AllExternalSurfacesCorrosionResistantAndTerminalLeadsAre ReadilySolderab	TAK_CHEONGTak Cheong Electronics (Holdings) Co.,Ltd 德昌电子德昌电子（集团）有限公司	TAK_CHEONG
1N5819	文件：172.75 Kbytes Page：3 Pages	Schottky Barrier Rectifier Diodes Features ●ForSurfaceMountedApplications ●MetalSiliconJunction,MajorityCarrierConduction ●LowPowerLoss,HighEfficiency ●HighForwardSurgeCurrentCapability	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
1N5819	文件：47.23 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER VOLTAGERANGE:20---40VCURRENT:1.0A FEATURES ◇Metal-Semiconductorjunctionwithguardring ◇Epitaxialconstruction ◇Lowforwardvoltagedrop,lowswitchinglosses ◇Highsurgecapability ◇Foruseinlowvoltage,highfrequencyinvertersfree wheeling,andpolarityprotectionappli	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
1N5819	文件：157.09 Kbytes Page：2 Pages	Schottky Barrier Rectifiers SchottkyBarrierRectifiers UsingtheSchottkyBarrierprinciplewithaMolybdenumbarriermetal.Thesestate-of-the-artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlaycontact.Ideallysuitedforlowvoltage,highfrequencyrectification,orasfreewheelingand	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士兰微杭州士兰微电子股份有限公司	SILAN
1N5819	文件：85.79 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER VOLTAGERANGE20to40VoltsCURRENT1.0Ampere FEATURES •Fastswitching. •Lowforwardvoltage,highcurrentcapability. •Lowpowerloss,highefficiency. •Highcurrentsurgecapability. •Hightemperaturesolderingguaranteed: 250°C/10seconds,0.375(9.5mm)leadlength at5lbs	MICMIC GROUP RECTIFIERS 昌福电子昌福电子有限公司	MIC

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产品属性

产品编号：
1N5819
制造商：
Taiwan Semiconductor Corporation
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）
二极管类型：
肖特基
电流 - 平均整流 (Io)：
1A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
55pF @ 4V，1MHz
安装类型：
通孔
封装/外壳：
DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装：
DO-204AL（DO-41）
工作温度 - 结：
-55°C ~ 125°C
描述：
DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO204AL

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
标准国际(香港)有限公司	1N5819	0N	13+	标准	5000	公司原装现货	询价
深圳市乐创天科技有限公司	1N5819	MIC	2013	805	200	全新原装正品现货	询价
深圳市荣泽信电子科技有限公司	1N5819	TOSHIBA	23+	SOT-323	13	全新原装的现货	询价
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司	1N5819		2015+		300	公司现货库存	询价
深圳市亿智腾科技有限公司	1N5819	国产	24+	DO214	6580	原装现货!	询价
深圳市明嘉莱科技有限公司	1N5819		23+	SMD	618000	明嘉莱只做原装正品现货	询价
深圳市实中创科技有限公司	1N5819	DIODES	23+	SOD123	4000	原装现货低价出售	询价
深圳市弘为电子有限公司	1N5819	TOS	24+	DO-214	1500	原装现货假一罚十	询价
深圳市英瑞尔电子科技有限公司	1N5819	N/A	24+	两脚直插	2500	进口原装现货/假一赔十	询价
瀚佳科技(深圳)有限公司	1N5819	GD	24+	SOD-123	9700	绝对原装正品现货假一罚十	询价

更多1N5819供应商更新时间2025-6-6 16:20:00

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