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1N5819	文件：115.13 Kbytes Page：3 Pages	1 Amp Schottky Rectifier 1AmpSchottkyRectifier ●SchottkyBarrierRectifier ●GuardRingProtection ●LowForwardVoltage ●HighReliability ●HighCurrentCapability	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N5819	文件：170.2 Kbytes Page：2 Pages	Schottky Barrier Rectifiers •Nominalcurrent1A •Repetitivepeakreversevoltage20...40V •PlasticcaseDO-15(DO-204AC) •Weightapprox.0.4g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpacka	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
1N5819	文件：190.87 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS Features •Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction •Guardingforovervoltageprotection •Lowpowerloss,highefficiency •Highcurrentcapability •lowforwardvoltagedrop •Highsurgecapability •Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters, freewheeling,andpola	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
1N5819	文件：213.28 Kbytes Page：2 Pages	Schottky Barrier Rectifiers SchottkyBarrierRectifiers UsingtheSchottkyBarrierprinciplewithaMolybdenumbarriermetal.Thesestate-of-the-artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlaycontact.Ideallysuitedforlowvoltage,highfrequencyrectification,orasfreewheelingand	MOSPECMospec Semiconductor 统懋统懋半导体股份有限公司	MOSPEC
1N5819	文件：325.64 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKY BARRIER RECTIFLER ReverseVoltage20to40Volts ForwardCurrent-1.0Ampere FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 •Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction •Guardringforovervoltageprotection •Lowpowerloss,highefficiency •Highcurren	GXELECTRONICSShandong Xinghe Minghui Electronics Co., Ltd 星合电子山东星合明辉电子有限公司	GXELECTRONICS
1N5819	文件：170.25 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER ReverseVoltage-20to40VoltsForwardCurrent-1.0Ampere FEATURES ◆PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 ◆Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction ◆Guardringforovervoltageprotection ◆Lowpowerloss,highefficiency ◆Highcurrentca	KINGTRONICSKingtronics International Company 金力金力国际公司	KINGTRONICS
1N5819	文件：133.83 Kbytes Page：2 Pages	AXIAL LEAD RECTIFIERS AXIALLEADRECTIFIERS ...employingtheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal-to-siliconpowerdiode.State-of-the-artgeometryfeaturesepitaxialconsrjctionwithoxidepassivationandmetaloverlapcontact. Ideallysuitedforuseasrectifiersinlow-voltage,high-frequencyinvert	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
1N5819	文件：91.21 Kbytes Page：2 Pages	Schottky Barrier Rectifier Diodes •Nominalcurrent1A •Repetitivepeakreversevoltage20...40V •PlasticcaseDO-15(DO-204AC) •Weightapprox.0.4g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpacka	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
1N5819	文件：63.59 Kbytes Page：2 Pages	1.0 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS VOLTAGERANGE20to40VoltsCURRENT1.0Ampere FEATURES Lowforwardvoltagedrop Highcurrentcapability Highreliability Highsurgecurrentcapability *Epitaxialconstruction	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
1N5819	文件：93.95 Kbytes Page：2 Pages	ELECTRICAL CHARACTERISTIC FEATURES ♦PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-0 ♦Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction ♦Guardringforovervoltageprotection ♦Lowpowerloss,highefficiency ♦Highcurrentcapability, lowforwardvoltagedrop ♦Highsurgecap	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN

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产品属性

产品编号：
1N5819
制造商：
Taiwan Semiconductor Corporation
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）
二极管类型：
肖特基
电流 - 平均整流 (Io)：
1A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
55pF @ 4V，1MHz
安装类型：
通孔
封装/外壳：
DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装：
DO-204AL（DO-41）
工作温度 - 结：
-55°C ~ 125°C
描述：
DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO204AL

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