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丝印:18N10LF2;Package:PG-TO263-7;MOSFET OptiMOS™ 5 Linear FET 2 , 100 V Features • Ideal for hot‑swap and e‑fuse applications • Very low on‑resistance RDS(on) • Wide safe operating area SOA • N‑channel, normal level • 100% avalanche tested • Pb‑free lead plating; RoHS compliant • Halogen‑free according to IEC61249‑2‑21 文件:1.030609 Mbytes 页数:13 Pages | INFINEON 英飞凌 | INFINEON | ||
丝印:18N10LF2;Package:PG-HSOG-4;MOSFET OptiMOS™ 5 Linear FET 2, 100 V Features • Ideal for hot‑swap and e‑fuse applications • Very low on‑resistance RDS(on) • Wide safe operating area SOA • Low Vgs(th) spread • Improved current sharing • N‑channel, normal level • 100% avalanche tested • Pb‑free lead plating; RoHS compliant • Halogen‑free according to IE 文件:1.12268 Mbytes 页数:15 Pages | INFINEON 英飞凌 | INFINEON |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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Infineon/英飞凌 |
26+ |
HSOG-4 |
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Infineon/英飞凌_IPM018N10NM5LF2即刻询购立享优惠#长期有订 |
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Infineon/英飞凌 |
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INFINEON |
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HSOG-4 |
10200 |
原装正品,可配单 |
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26+ |
25000 |
原装正品 欢迎垂询 |
询价 | ||||
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25000 |
只做原装正品 |
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Infineon/英飞凌 |
26+ |
标准封装 |
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授权代理经销商 IGBT模块 可控硅 晶闸管 现货库存 |
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INFINEON |
25+ |
HSOG-4 |
10200 |
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