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STB18NM60N	文件：1.18003 Mbytes Page：21 Pages	丝印：18NM60N；Package：D2PAK；N-channel 600 V, 0.26 廓 typ., 13 A MDmesh??II Power MOSFET in D2PAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 Description These devices are made using the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET associates a new vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding 文件：1.18003 Mbytes 页数：21 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STF18NM60N	文件：1.18003 Mbytes Page：21 Pages	丝印：18NM60N；Package：TO-220FP；N-channel 600 V, 0.26 廓 typ., 13 A MDmesh??II Power MOSFET in D2PAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 Description These devices are made using the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET associates a new vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding 文件：1.18003 Mbytes 页数：21 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STP18NM60N	文件：1.18003 Mbytes Page：21 Pages	丝印：18NM60N；Package：TO-220；N-channel 600 V, 0.26 廓 typ., 13 A MDmesh??II Power MOSFET in D2PAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 Description These devices are made using the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET associates a new vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding 文件：1.18003 Mbytes 页数：21 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STW18NM60N	文件：1.18003 Mbytes Page：21 Pages	丝印：18NM60N；Package：TO-24；N-channel 600 V, 0.26 廓 typ., 13 A MDmesh??II Power MOSFET in D2PAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 Description These devices are made using the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET associates a new vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding 文件：1.18003 Mbytes 页数：21 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
18NM60N	文件：610.57 Kbytes Page：14 Pages	N-channel 600 V, 0.260 廓, 6 A PowerFLAT??8x8 HV MDmesh??II Power MOSFET 文件：610.57 Kbytes 页数：14 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
18NM60N
功能描述：
MOSFET N-channel 600 V 0.27ohms 13A Mdmesh
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市龙瀚电子有限公司	STW18NM60N	ST	16+/17+	TO-247	3500	原装正品现货供应56	询价
深圳市坤融电子科技有限公司	STW18NM60N	ST	24+	TO247-3	4000	原装原厂代理可免费送样品	询价
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更多18NM60N供应商更新时间2025-9-8 13:38:00

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