丝印：18N10LF2；Package：PG-TO263-7；MOSFET OptiMOS™ 5 Linear FET 2 , 100 V

Features • Ideal for hot‑swap and e‑fuse applications • Very low on‑resistance RDS(on) • Wide safe operating area SOA • N‑channel, normal level • 100% avalanche tested • Pb‑free lead plating; RoHS compliant • Halogen‑free according to IEC61249‑2‑21

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OptiMOS ™ 5 单 N 沟道线性场效应晶体管 2 100 V，1.8 mΩ，259 A，D²PAK 7 引脚封装

OptiMOS ™ 5 Linear FET 2 技术实现了导通电阻和线性模式能力之间的最佳平衡。IPF018N10NM5LF2 与 D2PAK 7 引脚封装相结合，专为浪涌电流保护应用而设计，例如热插拔、电子保险丝和电池管理系统 (BMS) 中的电池保护。 • 宽安全操作区 (SOA)\n• 低 RDS(on)\n• 与线性 FET 相比，IGSS 更低\n• 优化传输特性;

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MOSFET OptiMOS™ 5 Linear FET 2, 100 V

Features • Ideal for hot‑swap and e‑fuse applications • Very low on‑resistance RDS(on) • Wide safe operating area SOA • Low Vgs(th) spread • Improved current sharing • N‑channel, normal level • 100% avalanche tested • Pb‑free lead plating; RoHS compliant • Halogen‑free according to IE

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