SPA11N60C3芯片代码丝印对应型号-114ic电子网

首页 >丝印反查>11N60C3

丝印	下载订购	功能描述	制造商上传企业	LOGO
11N60C3	文件：683.7 Kbytes Page：15 Pages	型号：SPA11N60C3；Package：PG-TO220FP；Cool MOS™ Power Transistor Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Highpeakcurrentcapability •Improvedtransconductance •PG-TO-220-3-31;-3-111:Fullyisolatedpackage(2500VAC;1minute)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司
11N60C3	文件：683.7 Kbytes Page：15 Pages	型号：SPA11N60C3E8185；Package：PG-TO220；Cool MOS™ Power Transistor Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Highpeakcurrentcapability •Improvedtransconductance •PG-TO-220-3-31;-3-111:Fullyisolatedpackage(2500VAC;1minute)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司
11N60C3	文件：683.7 Kbytes Page：15 Pages	型号：SPI11N60C3；Package：PG-TO262；Cool MOS™ Power Transistor Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Highpeakcurrentcapability •Improvedtransconductance •PG-TO-220-3-31;-3-111:Fullyisolatedpackage(2500VAC;1minute)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司
11N60C3	文件：683.7 Kbytes Page：15 Pages	型号：SPP11N60C3；Package：PG-TO220；Cool MOS™ Power Transistor Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Highpeakcurrentcapability •Improvedtransconductance •PG-TO-220-3-31;-3-111:Fullyisolatedpackage(2500VAC;1minute)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司
11N60C3	文件：659.64 Kbytes Page：16 Pages	型号：SPA11N60C3；Package：PG-TO220FP；Cool MOS??Power Transistor Feature New revolutionary high voltage technology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司
11N60C3	文件：659.64 Kbytes Page：16 Pages	型号：SPA11N60C3E8185；Package：PG-TO220；Cool MOS??Power Transistor Feature New revolutionary high voltage technology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司
11N60C3	文件：659.64 Kbytes Page：16 Pages	型号：SPI11N60C3；Package：PG-TO262；Cool MOS??Power Transistor Feature New revolutionary high voltage technology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司
11N60C3	文件：659.64 Kbytes Page：16 Pages	型号：SPP11N60C3；Package：PG-TO220；Cool MOS??Power Transistor Feature New revolutionary high voltage technology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司

详细参数

型号：
11N60C3
功能描述：
MOSFET COOL MOS N-CH 600V 11A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
京海半导体(深圳)有限公司	SPA11N60C3	INFINEON/英飞凌	21+	TO-220	20000	原装现货假一罚十	询价
深圳深宇韬电子科技有限公司	SPA11N60C3		22+	sot	6600	正品渠道现货,终端可提供BOM表配单。	询价
深圳市中联芯电子有限公司	SPA11N60C3	INFINEON/英飞凌	24+	TO-220F	10000	只做原装欢迎含税交易,假一赔十,放心购买	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	SPA11N60C3	INFINEON/英飞凌	25+	TO220F	20300	INFINEON/英飞凌原装特价SPA11N60C3即刻询购立享优惠#长期有货	询价
深圳市星佑电子有限公司	SPA11N60C3	INFINEON	11+	TO-220	2000	一定是全新原装正品现货否则10倍赔偿特价	询价
深圳市昌和盛利电子有限公司	SPA11N60C3		23+	TO-220F	280000	专注原装正品现货特价中量大可定	询价
深圳市赛尔通科技有限公司	SPA11N60C3	INFINEON	23+	TO-220F	65400		询价
深圳市英科美电子有限公司	SPA11N60C3	INFINEON/英飞凌	24+	TO-220F	18198	原装进口假一罚十	询价
深圳市鑫炜纳电子有限公司	SPA11N60C3	INFINEO	2021+	原厂原封装	93628	原装进口现货假一罚百	询价
深圳市昂芯微科技有限公司	SPA11N60C3	INFINEON	23+	TO220F	6996	只做原装正品现货	询价

更多11N60C3供应商更新时间2025-8-2 10:11:00

客户服务网站合作

Tel：0755 8246 9263
Email：kf＠114ic.com
投诉建议：kf@114ic.com

Copyright © 2003-2025 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号