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SPA11N60C3	文件：683.7 Kbytes Page：15 Pages	丝印：11N60C3；Package：PG-TO220FP；Cool MOS™ Power Transistor Feature • New revolutionary high voltage technology • Ultra low gate charge • Periodic avalanche rated • Extreme dv/dt rated • High peak current capability • Improved transconductance • PG-TO-220-3-31;-3-111: Fully isolated package (2500 VAC; 1 minute) 文件：683.7 Kbytes 页数：15 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPA11N60C3E8185	文件：683.7 Kbytes Page：15 Pages	丝印：11N60C3；Package：PG-TO220；Cool MOS™ Power Transistor Feature • New revolutionary high voltage technology • Ultra low gate charge • Periodic avalanche rated • Extreme dv/dt rated • High peak current capability • Improved transconductance • PG-TO-220-3-31;-3-111: Fully isolated package (2500 VAC; 1 minute) 文件：683.7 Kbytes 页数：15 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPI11N60C3	文件：683.7 Kbytes Page：15 Pages	丝印：11N60C3；Package：PG-TO262；Cool MOS™ Power Transistor Feature • New revolutionary high voltage technology • Ultra low gate charge • Periodic avalanche rated • Extreme dv/dt rated • High peak current capability • Improved transconductance • PG-TO-220-3-31;-3-111: Fully isolated package (2500 VAC; 1 minute) 文件：683.7 Kbytes 页数：15 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPP11N60C3	文件：683.7 Kbytes Page：15 Pages	丝印：11N60C3；Package：PG-TO220；Cool MOS™ Power Transistor Feature • New revolutionary high voltage technology • Ultra low gate charge • Periodic avalanche rated • Extreme dv/dt rated • High peak current capability • Improved transconductance • PG-TO-220-3-31;-3-111: Fully isolated package (2500 VAC; 1 minute) 文件：683.7 Kbytes 页数：15 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPA11N60C3	文件：659.64 Kbytes Page：16 Pages	丝印：11N60C3；Package：PG-TO220FP；Cool MOS??Power Transistor Feature New revolutionary high voltage technology 文件：659.64 Kbytes 页数：16 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPA11N60C3E8185	文件：659.64 Kbytes Page：16 Pages	丝印：11N60C3；Package：PG-TO220；Cool MOS??Power Transistor Feature New revolutionary high voltage technology 文件：659.64 Kbytes 页数：16 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPI11N60C3	文件：659.64 Kbytes Page：16 Pages	丝印：11N60C3；Package：PG-TO262；Cool MOS??Power Transistor Feature New revolutionary high voltage technology 文件：659.64 Kbytes 页数：16 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPP11N60C3	文件：659.64 Kbytes Page：16 Pages	丝印：11N60C3；Package：PG-TO220；Cool MOS??Power Transistor Feature New revolutionary high voltage technology 文件：659.64 Kbytes 页数：16 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
11N60C3	文件：683.7 Kbytes Page：15 Pages	Cool MOS™ Power Transistor Feature • New revolutionary high voltage technology • Ultra low gate charge • Periodic avalanche rated • Extreme dv/dt rated • High peak current capability • Improved transconductance • PG-TO-220-3-31;-3-111: Fully isolated package (2500 VAC; 1 minute) 文件：683.7 Kbytes 页数：15 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
11N60C3	文件：1.84713 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET 文件：1.84713 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

详细参数

型号：
11N60C3
功能描述：
MOSFET COOL MOS PWR TRANS MAX 650V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多11N60C3供应商更新时间2025-9-21 9:38:00

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