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SPA11N60C3E8185	文件：339.4 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor •DESCRIPTION •Ultralowgatecharge •Highpeakcurrentcapability •Improvedtransconductance •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.38Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice perfor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SPA11N60C3E8185	文件：683.7 Kbytes Page：15 Pages	Marking：11N60C3；Package：PG-TO220；Cool MOS™ Power Transistor Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Highpeakcurrentcapability •Improvedtransconductance •PG-TO-220-3-31;-3-111:Fullyisolatedpackage(2500VAC;1minute)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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文件：339.4 Kbytes

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N-Channel MOSFET Transistor

•DESCRIPTION •Ultralowgatecharge •Highpeakcurrentcapability •Improvedtransconductance •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.38Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice perfor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

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Marking：11N60C3；Package：PG-TO220；Cool MOS™ Power Transistor

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英飞凌英飞凌科技股份公司

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InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon

详细参数

型号：
SPA11N60C3E8185
制造商：
INFINEON
制造商全称：
Infineon Technologies AG
功能描述：
Cool MOS? Power Transistor Feature New revolutionary high voltage technology

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多SPA11N60C3E8185供应商更新时间2025-7-26 15:01:00

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