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SPA11N60C3E8185	文件：683.7 Kbytes Page：15 Pages	丝印：11N60C3；Package：PG-TO220；Cool MOS™ Power Transistor Feature • New revolutionary high voltage technology • Ultra low gate charge • Periodic avalanche rated • Extreme dv/dt rated • High peak current capability • Improved transconductance • PG-TO-220-3-31;-3-111: Fully isolated package (2500 VAC; 1 minute) 文件：683.7 Kbytes 页数：15 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPA11N60C3E8185	文件：339.4 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor • DESCRIPTION • Ultra low gate charge • High peak current capability • Improved transconductance • FEATURES • Static drain-source on-resistance: RDS(on) ≤0.38Ω • Enhancement mode • Fast Switching Speed • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device perfor 文件：339.4 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
SPA11N60C3E8185	文件：659.64 Kbytes Page：16 Pages	丝印：11N60C3；Package：PG-TO220；Cool MOS??Power Transistor Feature New revolutionary high voltage technology 文件：659.64 Kbytes 页数：16 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
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型号：
SPA11N60C3E8185
制造商：
INFINEON
制造商全称：
Infineon Technologies AG
功能描述：
Cool MOS? Power Transistor Feature New revolutionary high voltage technology

更多SPA11N60C3E8185供应商更新时间2025-12-1 15:01:00