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SPI11N60C3规格书详情
Feature
• New revolutionary high voltage technology
• Ultra low gate charge
• Periodic avalanche rated
• Extreme dv/dt rated
• High peak current capability
• Improved transconductance
• PG-TO-220-3-31;-3-111: Fully isolated package (2500 VAC; 1 minute)
产品属性
- 型号：
SPI11N60C3
- 功能描述：
MOSFET COOL MOS PWR TRANS MAX 650V
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
21+ |
TO262 |
1709 |
询价 | |||
INF |
TO262 |
53650 |
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询价 | |||
INFINEON/英飞凌 |
25+ |
TO-262 |
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INFINEON |
2018+ |
TO262 |
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INFINEON/英飞凌 |
25+ |
NA |
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INFINEON/英飞凌 |
21+ |
TO-262 |
30000 |
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INFINEON |
23+ |
TO-262 |
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Infineon(英飞凌) |
24+ |
标准封装 |
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INFINEON/英飞凌 |
24+ |
NA/ |
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INFINEON |
23+ |
TO220-3 |
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