SPI10N10L中文资料英飞凌数据手册PDF规格书
产品属性
- 型号：
SPI10N10L
- 功能描述：
MOSFET N-KANAL POWER MOS
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
TO262 |
9600 |
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询价 | ||
INFINEON |
2018+ |
TO262 |
6528 |
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INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO-262 |
11200 |
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INFINEON/英飞凌 |
24+ |
NA/ |
3360 |
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INFINEON/英飞凌 |
25+ |
NA |
880000 |
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INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO-262 |
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INFINEON/英飞凌 |
2447 |
TO262 |
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INFINEON |
23+ |
TO262-3 |
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INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO-262 |
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INFINEON |
23+ |
TO220-3 |
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