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SPI07N60C3规格书详情
Feature
• New revolutionary high voltage technology
• Ultra low gate charge
• Periodic avalanche rated
• Extreme dv/dt rated
• High peak current capability
• Improved transconductance
• PG-TO-220-3-31;-3-111: Fully isolated package (2500 VAC; 1 minute)
• Pb-free lead plating; RoHS compliant
• Qualified according to JEDEC0) for target applications.
产品属性
- 型号:
SPI07N60C3
- 功能描述:
MOSFET COOL MOS PWR TRANS MAX 650V
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
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