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SPI10N10L	文件：246.83 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOS Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPP10N10	文件：787.36 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOSPower-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPP10N10	文件：939.51 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SPP10N10L	文件：939.41 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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SPU10N10	文件：125.15 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOSPowerTransistor Features •Nchannel •Enhancementmode •Avalancherated •dv/dtrated	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SSFP10N10	文件：203.02 Kbytes Page：2 Pages	StarMOSTPowerMOSFET	Good-Ark GOOD-ARK Electronics	Good-Ark
SSG10N10	文件：465.14 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel100V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •ExtremelyLowQgdforSwitchingLosses •100RgTested •100AvalancheTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •PrimarySideSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SSG10N10	文件：1.11319 Mbytes Page：4 Pages	N-ChEnhancementModePowerMOSFET	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SSG10N10	文件：1.20167 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER

详细参数

型号：
SPI10N10L
功能描述：
MOSFET N-KANAL POWER MOS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多SPI10N10L供应商更新时间2025-6-14 13:31:00

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