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SPA07N65C3	文件：396.38 Kbytes Page：15 Pages	丝印：07N65C3；Package：PG-TO220-3；Cool MOS Power Transistor Feature • New revolutionary high voltage technology • Ultra low gate charge • Periodic avalanche rated • Extreme dv/dt rated • High peak current capability • Improved transconductance ● PG-TO-220-3: Fully isolated package (2500 VAC; 1 minute) • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Quali 文件：396.38 Kbytes 页数：15 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPI07N65C3	文件：396.38 Kbytes Page：15 Pages	丝印：07N65C3；Package：PG-TO262-3；Cool MOS Power Transistor Feature • New revolutionary high voltage technology • Ultra low gate charge • Periodic avalanche rated • Extreme dv/dt rated • High peak current capability • Improved transconductance ● PG-TO-220-3: Fully isolated package (2500 VAC; 1 minute) • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Quali 文件：396.38 Kbytes 页数：15 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPP07N65C3	文件：396.38 Kbytes Page：15 Pages	丝印：07N65C3；Package：PG-TO220；Cool MOS Power Transistor Feature • New revolutionary high voltage technology • Ultra low gate charge • Periodic avalanche rated • Extreme dv/dt rated • High peak current capability • Improved transconductance ● PG-TO-220-3: Fully isolated package (2500 VAC; 1 minute) • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Quali 文件：396.38 Kbytes 页数：15 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
07N65C3	文件：396.38 Kbytes Page：15 Pages	Cool MOS Power Transistor Feature • New revolutionary high voltage technology • Ultra low gate charge • Periodic avalanche rated • Extreme dv/dt rated • High peak current capability • Improved transconductance ● PG-TO-220-3: Fully isolated package (2500 VAC; 1 minute) • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Quali 文件：396.38 Kbytes 页数：15 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

详细参数

型号：
07N65C3
功能描述：
MOSFET COOL MOS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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