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080N1N6	文件：1.39135 Mbytes Page：11 Pages	型号：ISZ080N10NM6；Package：PG-TSDSON-8FL；OptiMOSTM 6 Power-Transistor, 100 V Features •N-channel,normallevel •Verylowon-resistanceRDS(on) •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowreverserecoverycharge(Qrr) •Highavalancheenergyrating •175°Coperatingtemperature •Optimizedforhighfrequencyswitchingandsynchronousrectification •	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司

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080N1N6

文件：1.39135 Mbytes

Page：11 Pages

型号：ISZ080N10NM6；Package：PG-TSDSON-8FL；OptiMOSTM 6 Power-Transistor, 100 V

Features •N-channel,normallevel •Verylowon-resistanceRDS(on) •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowreverserecoverycharge(Qrr) •Highavalancheenergyrating •175°Coperatingtemperature •Optimizedforhighfrequencyswitchingandsynchronousrectification •

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更多080N1N6供应商更新时间2025-8-1 14:56:00

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