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080N10N6	文件：1.34179 Mbytes Page：12 Pages	型号：ISC080N10NM6；Package：PG-TDSON-8FL；OptiMOSTM 6 Power-Transistor, 100 V Features •N-channel,normallevel •Verylowon-resistanceRDS(on) •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowreverserecoverycharge(Qrr) •Highavalancheenergyrating •175°Coperatingtemperature •Optimizedforhighfrequencyswitchingandsynchronousrectification •	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司

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080N10N6

文件：1.34179 Mbytes

Page：12 Pages

型号：ISC080N10NM6；Package：PG-TDSON-8FL；OptiMOSTM 6 Power-Transistor, 100 V

Features •N-channel,normallevel •Verylowon-resistanceRDS(on) •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowreverserecoverycharge(Qrr) •Highavalancheenergyrating •175°Coperatingtemperature •Optimizedforhighfrequencyswitchingandsynchronousrectification •

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

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更多080N10N6供应商更新时间2025-8-2 15:20:00

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