BSC080N12LS芯片代码丝印对应型号-114ic电子网

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BSC080N12LS	文件：1.77702 Mbytes Page：13 Pages	丝印：080N12LS；Package：PG-TDSON-8；OptiMOSTM 3 Power-Transistor, 120 V Features • N-channel, logic level • Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM) • Very low on-resistance RDS(on) • 150 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification • Halogen-free according to IEC61249-2- 文件：1.77702 Mbytes 页数：13 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多080N12LS供应商更新时间2025-9-21 14:14:00