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080N12LS	文件：1.77702 Mbytes Page：13 Pages	型号：BSC080N12LS；Package：PG-TDSON-8；OptiMOSTM 3 Power-Transistor, 120 V Features •N-channel,logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •150°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •Idealforhigh-frequencyswitchingandsynchronousrectification •Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司

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080N12LS

文件：1.77702 Mbytes

Page：13 Pages

型号：BSC080N12LS；Package：PG-TDSON-8；OptiMOSTM 3 Power-Transistor, 120 V

Features •N-channel,logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •150°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •Idealforhigh-frequencyswitchingandsynchronousrectification •Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

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更多080N12LS供应商更新时间2025-8-2 9:06:00

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