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Marking：080IEBE；Package：SOT8074-1；650 V, 80 mOhm Gallium Nitride (GaN) FET in a DFN 8 mm x 8 mm package 1.Generaldescription TheGAN080-650EBEisageneralpurpose650V,80mΩGalliumNitride(GaN)FETinaDFN 8mmx8mmsurfacemountpackage.Itisanormally-offe-modedeviceofferingsuperior performance. 2.Featuresandbenefits •Enhancementmode-normally-offpowerswitch •Ultrah | NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司 | NEXPERIA |
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