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IPB06N03LA	文件：347.1 Kbytes Page：10 Pages	丝印：06N03LA；Package：TO-263-3；OptiMOS 2 Power-Transistor Features • Ideal for high-frequency dc/dc converters • N-channel • Logic level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) • Superior thermal resistance • 175 °C operating temperature • dv /dt rated 文件：347.1 Kbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPI06N03LA	文件：347.1 Kbytes Page：10 Pages	丝印：06N03LA；Package：TO-263-3；OptiMOS 2 Power-Transistor Features • Ideal for high-frequency dc/dc converters • N-channel • Logic level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) • Superior thermal resistance • 175 °C operating temperature • dv /dt rated 文件：347.1 Kbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPP06N03LA	文件：347.1 Kbytes Page：10 Pages	丝印：06N03LA；Package：TO-220-3-1；OptiMOS 2 Power-Transistor Features • Ideal for high-frequency dc/dc converters • N-channel • Logic level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) • Superior thermal resistance • 175 °C operating temperature • dv /dt rated 文件：347.1 Kbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
06N03LA	文件：347.1 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS 2 Power-Transistor Features • Ideal for high-frequency dc/dc converters • N-channel • Logic level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) • Superior thermal resistance • 175 °C operating temperature • dv /dt rated 文件：347.1 Kbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
06N03LA	文件：1.6892 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.6892 Mbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
06N03LA	文件：1.46925 Mbytes Page：6 Pages	N-Channel 20-V (D-S)175 C MOSFET 文件：1.46925 Mbytes 页数：6 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
06N03LA_V01	文件：1.46925 Mbytes Page：6 Pages	N-Channel 20-V (D-S)175 C MOSFET 文件：1.46925 Mbytes 页数：6 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

详细参数

型号：
06N03LA
功能描述：
MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
OptiMOS™
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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更多06N03LA供应商更新时间2025-9-10 9:38:00

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