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070W120G3AG	文件：506.56 Kbytes Page：12 Pages	型号：SCT070W120G3-4AG；Package：HiP247-4；Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mΩ typ., 30 A in an HiP247-4 package Features •AEC-Q101qualified •Veryfastandrobustintrinsicbodydiode •Extremelylowgatechargeandinputcapacitance •Veryhighoperatingjunctiontemperaturecapability(TJ=200°C) •Sourcesensingpinforincreasedefficiency Applications •Maininverter(electrictraction) •	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

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文件：506.56 Kbytes

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型号：SCT070W120G3-4AG；Package：HiP247-4；Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mΩ typ., 30 A in an HiP247-4 package

Features •AEC-Q101qualified •Veryfastandrobustintrinsicbodydiode •Extremelylowgatechargeandinputcapacitance •Veryhighoperatingjunctiontemperaturecapability(TJ=200°C) •Sourcesensingpinforincreasedefficiency Applications •Maininverter(electrictraction) •

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更多070W120G3AG供应商更新时间2025-7-31 14:03:00

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