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BSC070N10NS3G	文件：440.06 Kbytes Page：10 Pages	丝印：070N10NS；Package：PG-TDSON-8；OptiMOSTM3 Power-Transistor Features • Very low gate charge for high frequency applications • Optimized for dc-dc conversion • N-channel, normal level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) • 150 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qualified ac 文件：440.06 Kbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
070N10NS	文件：440.06 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOSTM3 Power-Transistor Features • Very low gate charge for high frequency applications • Optimized for dc-dc conversion • N-channel, normal level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) • 150 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qualified ac 文件：440.06 Kbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

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更多070N10NS供应商更新时间2025-9-18 15:48:00