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040W65G3	文件：483.84 Kbytes Page：12 Pages	型号：SCT040W65G3-4；Package：HiP247-4；Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mΩ typ., 30 A in an HiP247-4 package Features •VerylowRDS(on)overtheentiretemperaturerange •Highspeedswitchingperformances •Veryfastandrobustintrinsicbodydiode •Veryhighoperatingjunctiontemperaturecapability(TJ=200°C) •Sourcesensingpinforincreasedefficiency Applications •Switchingmodepow	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团

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040W65G3

文件：483.84 Kbytes

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型号：SCT040W65G3-4；Package：HiP247-4；Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mΩ typ., 30 A in an HiP247-4 package

Features •VerylowRDS(on)overtheentiretemperaturerange •Highspeedswitchingperformances •Veryfastandrobustintrinsicbodydiode •Veryhighoperatingjunctiontemperaturecapability(TJ=200°C) •Sourcesensingpinforincreasedefficiency Applications •Switchingmodepow

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更多040W65G3供应商更新时间2025-8-4 14:03:00

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