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IXFK180N15P	文件：184.07 Kbytes Page：5 Pages	Polar HiPerFET Power MOSFET Polar™HiPerFETPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode FastIntrinsicDiode AvalancheRated Features •Internationalstandardpackages •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages •Easytomount •Spacesavings •H	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFN180N15P	文件：151.84 Kbytes Page：5 Pages	PolarHTHiPerFETPowerMOSFET PolarHT™HiPerFETPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features •Internationalstandardpackage •EncapsulatingepoxymeetsUL94V-0,flammabilityclassification •miniBLOCwithAluminiumnitrideisolation •Fastrecoverydiode •UnclampedInducti	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFR180N15	文件：330.12 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=100A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=13mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFR180N15P	文件：158.44 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVHiPerFETPowerMOSFETISOPLUS247 PolarHV™HiPerFETPowerMOSFETISOPLUS247™(ElectricallyIsolatedBackSurface) N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features •Internationalstandardisolatedpackage •ULrecognizedpackage •SiliconchiponDirect-Copper-Bondsubstrate -Highpowerdissipa	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFX180N15	文件：367.68 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=180A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=11mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFX180N15P	文件：184.07 Kbytes Page：5 Pages	PolarHiPerFETPowerMOSFET Polar™HiPerFETPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode FastIntrinsicDiode AvalancheRated Features •Internationalstandardpackages •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages •Easytomount •Spacesavings •H	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXTK180N15	文件：85.71 Kbytes Page：2 Pages	HighCurrentMegaMOSTMFET Features •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Internationalstandardpackage •Fastswitchingtimes Applications •Motorcontrols •DCchoppers •Switched-modepowersupplies Advantages •Easytomountwithonescrew (isolatedmountingscrewhole)	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXTK180N15	文件：296.12 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTK180N15P	文件：130.63 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXTK180N15P	文件：168.84 Kbytes Page：5 Pages	PolarHTTMPowerMOSFETN-ChannelEnhancementMode Features ●Internationalstandardpackage ●UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ●Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages ●Easytomount ●Spacesavings ●Highpowerdensity	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS

详细参数

型号：
IXFK180N15P
功能描述：
MOSFET 180 Amps 150V 0.011 Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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