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IXFK32N100P	文件：575.1 Kbytes Page：3 Pages	N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=27A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.32Ω(Max)@VGS=10V ·Fast-recoverybodydiode APPLICATIONS ·DC-DCConverters ·ACandDCmotorcontrols ·LaserDrivers	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFK32N100P	文件：124.23 Kbytes Page：4 Pages	Polar Power MOSFET HiPerFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
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IXFR32N100P	文件：113.55 Kbytes Page：4 Pages	PolarPowerMOSFETHiPerFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
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详细参数

型号：
IXFK32N100P
功能描述：
MOSFET 32 Amps 1000V 0.32 Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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