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FDL100N50F	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESSCHANGENOTIFICATION Description SuperFET®IIMOSFETisFairchildSemiconductor®’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDL100N50F	文件：297.51 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDL100N50F	文件：725.39 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelMOSFET,FRFET500V,100A,0.055廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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IXFN100N50P	文件：534.53 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelMOSFET DESCRIPTION ·DrainCurrent-ID=90A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage -VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=49mΩ(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·DC-DCconverter ·Highspeedpowerswitch	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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详细参数

型号：
IXFL100N50P
功能描述：
MOSFET tbd Amps 500V 0.06 Ohms Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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