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IXFK140N20P	文件：231.54 Kbytes Page：5 Pages	PolarHT HiPerFET Power MOSFET PolarHT™HiPerFETPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features •Internationalstandardpackage •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages •Easytomount •Spacesavings •	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFN140N20P	文件：98.5 Kbytes Page：5 Pages	PolarHTHiPerFETPowerMOSFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFQ140N20	文件：312.6 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=140A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=9.6mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFR140N20	文件：309.26 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=90A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=22mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFR140N20P	文件：144.7 Kbytes Page：5 Pages	PolarHTHiPerFETPowerMOSFETISOPLUS247 N-ChannelEnhancementMode FastIntrinsicDiode AvalancheRated Features •Internationalstandardisolatedpackage •ULrecognizedpackage •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect •Fastintrinsicdiode	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXTK140N20P	文件：295.08 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTK140N20P	文件：564.01 Kbytes Page：5 Pages	PolarHTPowerMOSFET PolarHT™PowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode Features •Internationalstandardpackages •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages •Easytomount •Spacesavings •Highpowerdensity	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS

详细参数

型号：
IXFK140N20P
功能描述：
MOSFET 140 Amps 200V 0.018 Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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