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FMMT618	文件：307.8 Kbytes Page：4 Pages	SOT23NPNSILICONPOWER Features •BVCEO>15V •IC=3AhighContinuousCollectorCurrent •ICM=12APeakPulseCurrent •RCE(sat)=50mΩforalowequivalentOn-Resistance •625mWPowerdissipation •hFEspecifiedupto12Aforhighcurrentgainholdup •ComplementaryPNPType:FMMT717 •TotallyLead-Free&am	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FMMT618	文件：308.81 Kbytes Page：4 Pages	NPNSILICONPOWER(SWITCHING)TRANSISTORS FEATURES 625mWPOWERDISSIPATION ICCONT3A 12APeakPulseCurrent ExcellentHFECharacteristicsUpTo12A(pulsed) ExtremelyLowSaturationVoltageE.g.8mVTyp. ExtremelyLowEquivalentOnResistance;RCE(sat)	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
FMMT618	文件：442.74 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconPlanarHighPerformanceTransistor Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •ExtremelyLowSaturationVoltage •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •Marking:618	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
FMMT618	文件：1.74369 Mbytes Page：5 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
FMMT618TA	文件：181.02 Kbytes Page：8 Pages	20VNPNSILICONLOWSATURATIONTRANSISTORINSOT23 Features •BVCEO>20V •IC=2.5AContinuousCollectorCurrent •RCE(SAT)=50mΩforalowequivalentOn-Resistance •625mWPowerdissipation •hFEcharacterisedupto6Aforhighcurrentgainholdup •ComplementaryNPNtype:FMMT718 •TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Notes1	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FMMTL618	文件：64.92 Kbytes Page：3 Pages	NPNSILICONPLANARHIGHGAINMEDIUMPOWERTRANSISTOR FEATURES Verylowequivalenton-resistance;RCE(sat)=140mΩat1.25A COMPLEMENTARYTYPE–FMMTL718 PARTMARKINGDETAIL–L68	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
FMMTL618	文件：81.97 Kbytes Page：3 Pages	SOT23NPNSILICONPLANARHIGHGAINMEDIUMPOWERTRANSISTOR FEATURES Verylowequivalenton-resistance;RCE(sat)=140mΩat1.25A COMPLEMENTARYTYPE–FMMTL718 PARTMARKINGDETAIL–L68	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FMMTL618TA	文件：81.97 Kbytes Page：3 Pages	SOT23NPNSILICONPLANARHIGHGAINMEDIUMPOWERTRANSISTOR	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
FRJAE-618	文件：117.17 Kbytes Page：1 Pages	FRJAEASSEMBLY6POSITION&8POSITIONWITHORWITHOUTFERRITESSINGLEPORTHIGHTEMPMATERIAL	AMPHENOLAmphenol Corporation 安费诺集团美国安费诺集团	AMPHENOL
FXT618	文件：410.93 Kbytes Page：4 Pages	NPNSILICONPLANARMEDIUMPOWERHIGHGAINTRANSISTOR FEATURES 10APeakpulsecurrent ExcellenthFEcharacteristicsupto10A(pulsed) Extremelylowsaturationvoltagee.g.7mVtyp. ICcont3.5A APPLICATIONS *PowerMOSFETgatedriverinconjunctionwith complementaryZTX718	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex

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产品属性

产品编号：
ZXTNS618MCTA
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
晶体管类型：
NPN + 二极管（隔离式）
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
270mV @ 125mA，4.5A
电流 - 集电极截止（最大值）：
25nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 2A，2V
频率 - 跃迁：
140MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-WDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：
DFN3020B-8
描述：
TRANS NPN 20V 4.5A DFN3020B-8

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