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A618ERU	文件：193.6 Kbytes Page：2 Pages	Single&DualOutput,6WUltra-WideInputRangeDC/DCConverters	MPD MPD (Memory Protection Devices)	MPD
AC618	文件：175.85 Kbytes Page：2 Pages	10TO600MHzTO-8CASCADABLEAMPLIFIER	TELEDYNE Teledyne Technologies Incorporated	TELEDYNE
AE618	文件：202.07 Kbytes Page：3 Pages	E-pHEMTMMIC	RFHIC rfhic	RFHIC
AN618	文件：60.68 Kbytes Page：6 Pages	RecordingandplayingamplifierICforansweringtelephones ■Features •Incorporatesrecordingandplayingamplifiers. •Incorporatesaloudspeakeramplifier. •IncorporatesaVOXcircuit. •Incorporatesamagnetic-headcircuittoprovideforone-tape cassetterecording. •Incorporates4controlcircuits.	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
BA618	文件：74.44 Kbytes Page：4 Pages	LEDdriver LEDdriver TheBA618isanICdevelopedfordriving7-segmentLEDdisplays,andcontainssevenpositivelogiccircuits.InputandoutputaredirectedinthesamedirectionbyDIPPin16,withthelayoutoptimizedtofacilitatemounting.	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BC618	文件：111.66 Kbytes Page：7 Pages	NPNDarlingtontransistor DESCRIPTION NPNDarlingtontransistorinaTO-92;SOT54plasticpackage. FEATURES •Lowcurrent(max.500mA) •Lowvoltage(max.55V) •HighDCcurrentgain. APPLICATIONS •Generalpurposelowfrequency •Relaydrivers.	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BC618	文件：71.36 Kbytes Page：6 Pages	DarlingtonTransistorsNPNSilicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC618	文件：142.29 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconDarlingtonTransistors(HighcurrentgainHighcollectorcurrent) NPNSiliconDarlingtonTransistors ●Highcurrentgain ●Highcollectorcurrent	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BC618	文件：44.22 Kbytes Page：7 Pages	NPNDarlingtontransistor DESCRIPTION NPNDarlingtontransistorinaTO-92;SOT54plasticpackage. FEATURES •Lowcurrent(max.500mA) •Lowvoltage(max.55V) •HighDCcurrentgain. APPLICATIONS •Generalpurposelowfrequency •Relaydrivers.	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BC618	文件：208.98 Kbytes Page：6 Pages	DarlingtonTransistors DarlingtonTransistors NPNSilicon	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola

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产品属性

产品编号：
ZXTNS618MCTA
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
晶体管类型：
NPN + 二极管（隔离式）
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
270mV @ 125mA，4.5A
电流 - 集电极截止（最大值）：
25nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 2A，2V
频率 - 跃迁：
140MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-WDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：
DFN3020B-8
描述：
TRANS NPN 20V 4.5A DFN3020B-8

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更多ZXTNS618MCTA供应商更新时间2025-5-21 14:16:00

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