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ZXMP6A18K	文件：589.18 Kbytes Page：8 Pages	60V P-channel enhancement mode MOSFET 文件：589.18 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXMP6A18K	文件：582.35 Kbytes Page：8 Pages	60V P-channel enhancement mode MOSFET 文件：582.35 Kbytes 页数：8 Pages	ZETEX	ZETEX
ZXMP6A18K_15	文件：589.18 Kbytes Page：8 Pages	60V P-channel enhancement mode MOSFET 文件：589.18 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXMP6A18KTC	文件：1.00371 Mbytes Page：8 Pages	P-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：1.00371 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
ZXMP6A18KTC	文件：582.35 Kbytes Page：8 Pages	60V P-channel enhancement mode MOSFET 文件：582.35 Kbytes 页数：8 Pages	ZETEX	ZETEX
ZXMP6A18KTC	文件：589.18 Kbytes Page：8 Pages	60V P-channel enhancement mode MOSFET 文件：589.18 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXMP6A18DN8	文件：300 bytes Page：1 Pages	Dual P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation of trench MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure\nthat combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This\nmakes them ideal for high efficiency, low voltage, power management\napplications.	Diodes 美台半导体	Diodes
ZXMP6A18K	文件：300 bytes Page：1 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation of trench MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power management applications.	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
On Request*
Polarity：
P+P
ESD Diodes：
No
VDS：
60 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
4.8 A
PD @ TA = +25°C：
2.1 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
55 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
80 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
1 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
44 nC
Packages：
SO-8

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